RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
45
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3609
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link