RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3704
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link