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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3102
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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