RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2046
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link