RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3132
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link