RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3544
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link