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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3327
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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