RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3660
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link