RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
48
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
48
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2190
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link