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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 12
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 12.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1939

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Memoria RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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