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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2128
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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