RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2128
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link