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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.2
    Valor medio en las pruebas
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 45
    En -32% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 34
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1693

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
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Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Memoria RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Memoria RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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