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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
47
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
45
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2556
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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