RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2830
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link