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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
65
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
65
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2041
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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