RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3509
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link