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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
47
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2129
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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