RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3598
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link