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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2563
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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