RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
47
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3825
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link