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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3087
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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