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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3055
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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