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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2966
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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