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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
47
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2875
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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