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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
47
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3045
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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