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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2339
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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