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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2432
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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