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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
47
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2201
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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