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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3650
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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