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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2199
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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