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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3033
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
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