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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1958
3061
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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