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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
41
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2134
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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