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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
66
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
66
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
1473
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
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