RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
1357
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link