RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3015
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link