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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3015
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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