RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
75
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
75
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
1590
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link