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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3583
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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