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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
38
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
34
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3415
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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