RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3533
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link