RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
2690
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link