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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
71
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
71
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
1586
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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