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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
2559
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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