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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
66
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
66
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
1820
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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