Comparación de la memoria RAM Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Puntuación global

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 54

En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 15.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.4 11.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 19200

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1897 2511

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns