RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3525
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link