RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
67
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
67
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
1850
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link