RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.2
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
22.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
3938
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link