RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
2713
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link