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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Compara
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2717
2713
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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