RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
78
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
78
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
2087
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link