RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
78
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
78
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
2087
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link